蘇州波弗光電科技有限公司提供的HPD18G-M是一款高速、高功率、高靈敏度InGaAs光電探測(cè)器模塊，集成內(nèi)偏置電路，采用FC/APC光纖輸入，3.5mm/SMA射頻接口輸出，氣密封裝結(jié)構(gòu)。
HPD18G光電探測(cè)器具有高飽和、高帶寬特性，可適用于高速光通信、微波光子鏈路、高速測(cè)試測(cè)量等應(yīng)用系統(tǒng)。
HPD18G-M光電探測(cè)器模塊具有高飽和、高帶寬特性，可適用于高速光通信、微波光子鏈路、高速測(cè)試測(cè)量等應(yīng)用系統(tǒng)。
品牌：波弗光電
蘇州波弗光電科技有限公司提供的HPD18G-M是一款高速、高功率、高靈敏度InGaAs光電探測(cè)器模塊，集成內(nèi)偏置電路，采用FC/APC光纖輸入，3.5mm/SMA射頻接口輸出，氣密封裝結(jié)構(gòu)。
HPD18G光電探測(cè)器具有高飽和、高帶寬特性，可適用于高速光通信、微波光子鏈路、高速測(cè)試測(cè)量等應(yīng)用系統(tǒng)。
HPD18G-M光電探測(cè)器模塊具有高飽和、高帶寬特性，可適用于高速光通信、微波光子鏈路、高速測(cè)試測(cè)量等應(yīng)用系統(tǒng)。
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參數(shù)名稱 |
測(cè)試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
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工作波長(zhǎng)范圍λ |
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1000 |
- |
1650 |
nm |
|
響應(yīng)度Re |
@5V，1550nm，1mW |
0.8 |
0.85 |
- |
A/W |
|
3dB帶寬f3dB |
@5V，1550nm，1mW |
18 |
20 |
- |
GHz |
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飽和輸入光功率[1] |
@5V，1550nm，18GHz |
+ 17 |
- |
- |
dBm |
|
光回波損耗 |
@1550nm |
28 |
- |
- |
dB |
|
PD暗電流 |
@5V，1550nm，1mW |
- |
- |
20 |
nA |
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射頻連接器 |
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SMA Female |
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- |
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尾纖類型 |
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SMF-28 |
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- |
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尾纖長(zhǎng)度/光連接器 |
可定制 |
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1m, FC/APC |
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- |
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注[1]：飽和輸入光功率為探測(cè)器芯片飽和光功率；測(cè)試條件VPD=5V, λ=1.55μm, RFin=-10dBm。聯(lián)系蘇州波弗光電科技有限公司獲取更多信息。 |
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絕對(duì)最大值：
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參數(shù)名稱 |
符號(hào) |
額定值 |
單位 |
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PD偏置電壓 |
VPD |
＜ 12 |
V |
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輸入光功率 |
Popt |
60（+18 dBm） |
mW |
|
焊接溫度Tp |
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260（10s） |
℃ |
|
靜電放電敏感度ESD |
|
≥ 250 |
V |
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工作溫度范圍 |
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-40 ~ +70 |
℃ |
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貯存溫度范圍 |
|
-45 ~ +85 |
℃ |
*推薦工作狀態(tài)：偏置電壓：DC 12 V，光輸入功率：1~40mW。
典型特性曲線&尺寸圖：
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HPD18G | 頻率響應(yīng)曲線 |
HPD18G | 飽和輸入光功率曲線 |
HPD18G | 封裝外形、尺寸（單位：mm） |
訂購(gòu)信息：
P/N：HPD18G 描述：18GHz高功率光電探測(cè)器，1000~1650nm，最大輸入光功率：60mW，單模尾纖，SMA母頭射頻輸出，F(xiàn)C/APC接頭
P/N：HPD18G-M 描述：18GHz高功率光電探測(cè)器模塊，1000~1650nm，最大輸入光功率：60mW，單模尾纖，SMA母頭射頻輸出，F(xiàn)C/APC接頭
注意事項(xiàng)：
注意靜電防護(hù)（ESD）;開(kāi)啟：先接地后開(kāi)啟電源，上電工作；斷電：應(yīng)先移除光源，再斷開(kāi)電源。聯(lián)系蘇州波弗光電科技有限公司獲取更多信息。
