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SLD二極管寬帶光源 | Innolume
超輻射發(fā)光二極管(SLD)是一種半導體器件,當正向偏置時,會在寬光譜范圍內產生放大的自發(fā)輻射。與激光器不同,SLD具有較寬的光譜,使其適用于各種應用。SLD缺乏實現(xiàn)激光作用的反饋。光學反饋的抑制是通過傾斜的波導和反射率小于0.001%的抗反射涂層實現(xiàn)的,這可以顯著減少光譜波紋。SLD的峰值波長和強度取決于活性材料成分和注入電流。Innolume制造的某些SLD具有高輸出光功率,超過250mW,低光譜波紋和寬光譜。光譜的寬度很重要,因為它會影響相干長度。更寬的頻譜寬度對某些應用是有益的。SLD具有高度的空間相干性,可以有效地耦合到單模光纖中。Innolume提供各種封裝選項,提供14針模塊,可提供PM/HI光纖類型、松套管和光電二極管。此外,Innolume有能力提供芯片安裝在子基座上、芯片安裝在散熱器上(如C-Mount)或to罐中的配置。
品牌:Innolume
產品特點
典型應用
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產品介紹

超輻射發(fā)光二極管(SLD)是一種半導體器件,當正向偏置時,會在寬光譜范圍內產生放大的自發(fā)輻射。與激光器不同,SLD具有較寬的光譜,使其適用于各種應用。


SLD缺乏實現(xiàn)激光作用的反饋。光學反饋的抑制是通過傾斜的波導和反射率小于0.001%的抗反射涂層實現(xiàn)的,這可以顯著減少光譜波紋。SLD的峰值波長和強度取決于活性材料成分和注入電流。


Innolume制造的某些SLD具有高輸出光功率,超過250mW,低光譜波紋和寬光譜。光譜的寬度很重要,因為它會影響相干長度。更寬的頻譜寬度對某些應用是有益的。


SLD具有高度的空間相干性,可以有效地耦合到單模光纖中。


Innolume提供各種封裝選項,提供14針模塊,可提供PM/HI光纖類型、松套管和光電二極管。


此外,Innolume有能力提供芯片安裝在子基座上、芯片安裝在散熱器上(如C-Mount)或TO封裝的配置。


超輻射發(fā)光二極管(SLD)的關鍵特性:


高輸出功率:能夠實現(xiàn)超過250mW的輸出光功率。


廣譜:某些Innolume SLD提供的光譜寬度超過100nm。


反饋抑制:傾斜波導和抗反射涂層(反射率<0.001%)可減少光學反饋并最大限度地減少光譜波紋。


封裝選項:提供各種封裝配置,包括14引腳模塊和芯片放置選項,如子基座、散熱器或TO can封裝。


定制:Innolume有能力根據(jù)客戶要求生產具有指定波長和光譜寬度的SLD。

產品型號及主要指標

產品系列:

型號 主要波長 譜寬(3dB) 輸出功率 光譜平坦度 ASE紋波 (RMS) 正向電流 正向電壓 偏振消光比PER Datasheet
nm nm mW dB dB mA V dB
SLD0830010YY050MXXXX 830 10 50 - 0.05 350 1.8 17
SLD1000100YY015MXXXX 1000 100 15 1 0.02 400 1.6 20
SLD1030110YY012MXXXX 1030 110 12 4 0.03 400 1.7 19
SLD1030025YY130MXXXX 1030 25 130 - 0.06 800 1.8 21
SLD1050120YY040MXXXX 1055 120 40 5 0.04 700 1.7 20
SLD1060020YY120MXXXX 1060 20 120 - 0.04 800 1.8 20
SLD1060015YY250MXXXX 1060 15 250 - 0.1 1500 1.9 21
SLD1064020YY300MXXXX 1064 20 300 - 0.8 800 1.9 18
SLD1090030YY100MXXXX 1090 30 100 - 0.06 800 1.7 15
SLD1120020YY030MXXXX 1120 20 30 - 0.03 300 1.5 20
SLD1140080YY0D5MXXXX 1140 80 0.5 4 0.02 250 1.3 19
SLD1190090YY0D5MXXXX 1190 90 0.5 5 0.01 315 1.4 19
SLD1250110YY004MXXXX 1250 110 4 6 0.01 800 1.5 19

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